5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DO-4 | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| 针数： | 1 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.27 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-4 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 400 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最大输出电流： | 20 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 150 V | 最大反向恢复时间： | 0.06 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5816A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 150V 20A Die |
|
| 1N5816HCE | ETC |
获取价格 |
Ultra Fast Rectifier (less than 100ns) |
|
| 1N5816HCEE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 150V V(RRM), Silicon, DIE-1 |
|
| 1N5816KCE | ETC |
获取价格 |
Ultra Fast Rectifier (less than 100ns) |
|
| 1N5816KCEE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 150V V(RRM), Silicon, DIE-1 |
|
| 1N5816R | MICROSEMI |
获取价格 |
FAST RECOVERY POWER RECTIFIER |
|
| 1N5816R | SENSITRON |
获取价格 |
DESCRIPTION: 150 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. |
|
| 1N5817 | PANJIT |
获取价格 |
1 AMPERE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER(VOLTAGE - 20 to 40 Volts CURRENT - 1.0 Ampere) |
|
| 1N5817 | SEMIKRON |
获取价格 |
Schottky barrier rectifiers diodes |
|
| 1N5817 | MIC |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
