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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N5815R
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1N5815R

更新时间： 2024-11-17 22:37:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管快速恢复能力电源快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
1页 61K
描述
FAST RECOVERY POWER RECTIFIER

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1N5815R 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-4
包装说明：O-MUPM-D1针数：1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.49
Is Samacsys：N应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.86 VJEDEC-95代码：DO-203AA
JESD-30 代码：O-MUPM-D1JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：400 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：125 V最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N5815R 数据手册

  
TECHNICAL DATA  
FAST RECOVERY POWER RECTIFIER  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 478  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
1N5812  
1N5812R  
1N5814  
1N5814R  
1N5815  
1N5815R  
1N5816  
1N5816R  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
1N5812 1N5814 1N5816  
1N5812R 1N5814R 1N5816R  
Symbol  
Unit  
Reverse Voltage  
50  
100  
100  
20  
150  
Vdc  
Vpk  
Adc  
VR  
VRWM  
IO  
Working Peak Reverse Voltage  
50  
150  
Average Forward Current  
Forward Current Surge Peak TC = +1000C  
tp = 8.3 ms  
TC = +1000C (1)  
400  
Adc  
IFSM  
Reverse Recovery Time  
35  
hs  
0C  
trr  
TJ, T  
Operating & Storage Junction Temperature  
-65 to +175  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/W  
DO-203AA  
(DO-4)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1) Derate linearly 250 mA/0C from +1000C to +1500C, & 300 mA/0C above +1500C  
1.5  
R
qJC  
*See appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Zq  
Min.  
Max.  
Unit  
Thermal Impedance  
0C/W  
JX  
IH ³ rated IO; tH £ 250ms; 10 mA £ IM £ 100 mA; tMD = 250 ms (max)  
1.35  
Forward Voltage  
tp £ 8.3 ms, duty cycle £ 2.0% pulsed  
IF = 10 A (pk)  
IF = 20 A (pk)  
VF1  
VF2  
Vdc  
Vpk  
0.860  
0.950  
Reverse Current  
VR = Rated VR (See 1.3 of MIL-PRF-19500/478)  
Breakdown Voltage  
IR  
mAdc  
10  
IR = 100 mAdc  
IR = 100 mAdc  
IR = 100 mAdc  
1N5812, R  
1N5814, R  
1N5816, R  
60  
110  
160  
V(BR)  
Vdc  
Junction Capacitance  
VR = 10 Vdc, VSIG = 50 mVdc (p-p) max, f = 1.0 MHz  
Forward Recovery Voltage  
CJ  
VFR  
trr  
pF  
V(pk)  
hs  
300  
tp ³ 20 hs, tr = 8.0 hs; IF = 1,000 mA  
2.2  
15  
Forward Recovery Time  
IF = 1,000 mA  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
120101  
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1

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与1N5815R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5815RE3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 125V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
1N5816 NJSEMI

获取价格

 		FAST RECTIFIER, 10 A < I(O) / I(F) s 20A
1N5816 MCC

获取价格

 		20 Amp Ultra Fast Recovery Rectifier 50 to 150 Volts
1N5816 MICROSEMI

获取价格

 		FAST RECOVERY POWER RECTIFIER
1N5816 SENSITRON

获取价格

 		DESCRIPTION: 150 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE.
1N5816A NJSEMI

获取价格

 		Diode Switching 150V 20A Die
1N5816HCE ETC

获取价格

 		Ultra Fast Rectifier (less than 100ns)
1N5816HCEE3 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 150V V(RRM), Silicon, DIE-1
1N5816KCE ETC

获取价格

 		Ultra Fast Rectifier (less than 100ns)
1N5816KCEE3 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 150V V(RRM), Silicon, DIE-1

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