1N5814R

更新时间： 2024-11-17 22:37:39

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美高森美 - MICROSEMI		整流二极管快速恢复能力电源快速恢复二极管
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1页	61K
描述
FAST RECOVERY POWER RECTIFIER

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1N5814R 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-4
包装说明：	O-MUPM-D1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
应用：	ULTRA FAST RECOVERY	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-203AA
JESD-30 代码：	O-MUPM-D1	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	400 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	20 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.035 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N5814R 数据手册

TECHNICAL DATA

FAST RECOVERY POWER RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/ 478

Devices

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

1N5812

1N5812R

1N5814

1N5814R

1N5815

1N5815R

1N5816

1N5816R

MAXIMUM RATINGS

Ratings

1N5812 1N5814 1N5816

1N5812R 1N5814R 1N5816R

Symbol

Unit

Reverse Voltage

100

150

Vdc

Vpk

Adc

V_R

V_RWM

I_O

Working Peak Reverse Voltage

150

Average Forward Current

Forward Current Surge Peak T_C= +100⁰C

t_p= 8.3 ms

T_C= +100⁰C ⁽¹⁾

400

Adc

I_FSM

Reverse Recovery Time

⁰C

t_rr

T_J_,T

Operating & Storage Junction Temperature

-65 to +175

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

DO-203AA

(DO-4)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 250 mA/⁰C from +100⁰C to +150⁰C, & 300 mA/⁰C above +150⁰C

1.5

qJC

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Z_q

Min.

Max.

Unit

Thermal Impedance

⁰C/W

I_H³ rated I_O; t_H£ 250ms; 10 mA £ I_M£ 100 mA; t_MD= 250 ms (max)

1.35

Forward Voltage

t_p£ 8.3 ms, duty cycle £ 2.0% pulsed

I_F= 10 A (pk)

I_F= 20 A (pk)

V_F1

V_F2

Vdc

Vpk

0.860

0.950

Reverse Current

V_R= Rated V_R(See 1.3 of MIL-PRF-19500/478)

Breakdown Voltage

I_R

mAdc

I_R= 100 mAdc

1N5812, R

1N5814, R

1N5816, R

110

160

V_(BR)

Vdc

Junction Capacitance

V_R= 10 Vdc, V_SIG= 50 mVdc (p-p) max, f = 1.0 MHz

Forward Recovery Voltage

C_J

V_FR

t_rr

V(pk)

300

t_p³ 20 hs, t_r= 8.0 hs; I_F= 1,000 mA

2.2

Forward Recovery Time

I_F= 1,000 mA

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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1N5814R 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
30CTQ045	DIOTEC	功能相似	High Temperature Schottky Rectifier . Common Cathode
MBR2045CT	GOOD-ARK	功能相似	Dual Schottky Barrier Rectifiers

与1N5814R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5815	MCC	获取价格	20 Amp Ultra Fast Recovery Rectifier 50 to 150 Volts
1N5815	MICROSEMI	获取价格	FAST RECOVERY POWER RECTIFIER
1N5815	NJSEMI	获取价格	Diode Switching 125V 20A 2-Pin DO-4
1N5815-CHIP	SSDI	获取价格	Diode,
1N5815E3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 125V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
1N5815R	MICROSEMI	获取价格	FAST RECOVERY POWER RECTIFIER
1N5815RE3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 125V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
1N5816	NJSEMI	获取价格	FAST RECTIFIER, 10 A < I(O) / I(F) s 20A
1N5816	MCC	获取价格	20 Amp Ultra Fast Recovery Rectifier 50 to 150 Volts
1N5816	MICROSEMI	获取价格	FAST RECOVERY POWER RECTIFIER

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