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1N5812HCEE3

更新时间: 2024-09-27 10:07:23
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美高森美 - MICROSEMI 超快恢复二极管快速恢复二极管
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1页 93K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DIE-1

1N5812HCEE3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:S-XUUC-N1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.40风险等级:5.67
应用:ULTRA FAST RECOVERY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:S-XUUC-N1最大非重复峰值正向电流:400 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最大输出电流:20 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:SQUARE
封装形式:UNCASED CHIP最大重复峰值反向电压:50 V
最大反向恢复时间:0.035 µs表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1N5812HCEE3 数据手册

  

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