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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | E-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.16 | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | E-LALF-W2 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 100 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向恢复时间： | 6 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN SILVER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5626TR | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, |
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| 1N5626-TR | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND |
|
| 1N5627 | EIC |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS |
|
| 1N5627 | NJSEMI |
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SI RECTIFIER |
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| 1N5627 | VISHAY |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER |
|
| 1N5627 | POWEREX |
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Lead Mounted Rectifier |
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| 1N5627 | DIGITRON |
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Rectifier, Standard Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 3; Max TMS Bridge Input |
|
| 1N5627 | CENTRAL |
获取价格 |
3A,800V Through-Hole Rectifier-General Purpose Single |
|
| 1N5627-E3/54 | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, |
|
| 1N5627GP | VISHAY |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER |
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