是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | E-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.27 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JESD-30 代码: | E-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 125 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 5 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ELLIPTICAL |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N5624GP | VISHAY |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER | |
1N5624GP/51-E3 | VISHAY |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode | |
1N5624GP/58-E3 | VISHAY |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode | |
1N5624GP/64-E3 | VISHAY |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode | |
1N5624GP/66-E3 | VISHAY |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode | |
1N5624GP/72 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2 | |
1N5624GP/73-E3 | VISHAY |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode | |
1N5624GP-E3/54 | VISHAY |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, R | |
1N5624GP-E3/66 | VISHAY |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode | |
1N5624GP-E3/71 | VISHAY |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode |