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1N5623US

更新时间: 2024-11-25 23:18:23
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
Standard Rectifier (trr more than 500ns)

1N5623US 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:1.56Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:0.5 µs
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N5623US 数据手册

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1N5623US 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N5623US MICROSEMI

完全替代

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
JANS1N5623US MICROSEMI

完全替代

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

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GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
1N5624 EIC

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GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS
1N5624 POWEREX

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Lead Mounted Rectifier
1N5624 CENTRAL

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3A,200V Through-Hole Rectifier-General Purpose Single
1N5624GP VISHAY

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GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
1N5624GP/51-E3 VISHAY

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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5624GP/58-E3 VISHAY

获取价格

DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode