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1N5622LEADFREE

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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CENTRAL		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	405K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, GPR-1A, 2 PIN

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1N5622LEADFREE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GPR-1A, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.13	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	E-XALF-W2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ELLIPTICAL	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	2 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1N5622LEADFREE 数据手册

1N5614 1N5620

1N5616 1N5622

1N5618

www.centralsemi.com

GLASS PASSIVATED

SILICON RECTIFIERS

1.0 AMP, 200 THRU 800 VOLT

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N5614 series

types are silicon rectifiers mounted in a hermetically

sealed, glass passivated package, designed for general

purpose applications where high reliability is desired.

MARKING: FULL PART NUMBER

GPR-1A CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL 1N5614 1N5616 1N5618 1N5620 1N5622 UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

200

140

400

280

600

800

560

1000

700

RRM

600

RMS Reverse Voltage

420

R(RMS)

Average Forward Current (T =55°C)

1.0

Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms

FSM

Operating and Storage Junction Temperature T , T

-65 to +200

°C

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

UNITS

V =Rated V

0.5

μA

RRM

V =Rated V

, T =100°C

RRM

I =50μA (1N5614)

220

440

660

880

1100

I =50μA (1N5616)

I =50μA (1N5618)

I =50μA (1N5620)

I =50μA (1N5622)

I =1.0A

1.2

V =12V, f=130kHz

μs

I =0.5A, I =1.0A, I =0.25A

2.0

R3 (27-February 2013)

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1N5622UL	SENSITRON	获取价格	HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER
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