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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS, A PACKAGE-2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 1.61 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 最大反向恢复时间： | 2 µs |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5622/4 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AP, HERMETIC SEALED, GLASS PA |
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| 1N5622C | SEMTECH |
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200V-1000V Axial Leaded Fast Avalanche Rectifier Diode |
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| 1N5622C-TR | SEMTECH |
获取价格 |
200V-1000V Axial Leaded Fast Avalanche Rectifier Diode |
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| 1N5622-E3/54 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AP, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
|
| 1N5622GP | VISHAY |
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Glass Passivated Junction Rectifier |
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| 1N5622GP/100-E3 | VISHAY |
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DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode |
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| 1N5622GP/4E-E3 | VISHAY |
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DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode |
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| 1N5622GP/4F-E3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode |
|
| 1N5622GP/4G-E3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode |
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| 1N5622GP/4H | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN |
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