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1N5622

更新时间: 2024-11-28 20:23:19
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SSDI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 79K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

1N5622 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:O-XALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.71外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:50 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向恢复时间:5 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N5622 数据手册

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