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1N5622

更新时间： 2024-11-28 07:22:39

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EIC		二极管
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描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS

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1N5622 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.06
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	2 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5622 数据手册

Certificate TH97/10561QM

Certificate TW00/17276EM

GLASS PASSIVATED JUNCTION

SILICON RECTIFIERS

1N5614 - 1N5622

PRV : 200 - 1000 Volts

Io : 1.0 Ampere

DO - 41

FEATURES :

* Glass passivated chip

* High forward surge current capability

* High reliability

1.00 (25.4)

0.107 (2.7)

MIN.

0.080 (2.0)

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Pb / RoHS Free

0.205 (5.2)

0.161 (4.1)

MECHANICAL DATA :

1.00 (25.4)

0.034 (0.86)

MIN.

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

0.028 (0.71)

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Weight : 0.34 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

SYMBOL 1N5614 1N5616 1N5618 1N5620 1N5622 UNIT

V_RWM

Maximum Working Peak Reverse Voltage

Minimum Breakdown Voltage @ 50 μA

Maximum Average Forward Current at Ta = 55 °C

at Ta = 100 °C

200

220

400

440

600

660

1.0

800

880

1000

1100

V_BR(MIN)

I_F(AV)

0.75

Peak Forward Surge Current

I_FSM

(Ta = 100 °C,f = 60 Hz, I_F(AV)= 750 mA for ten 8.3 ms

surges @ 1 minute intervals)

Minimum Forward Voltage at I_F= 3.0 A

Maximum Forward Voltage at I_F= 3.0A

V_F(MIN)

V_F(MAX)

I_R

0.8

1.3

at V_RWM, Ta = 25 °C

at V_RWM, Ta = 100 °C

Maximum Reverse Current

0.5

μA

I_R(H)

2.0

Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )

Thermal Resistance , Junction to Lead (Note 2)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Trr

μs

°C/W

°C

R_ӨJL

T_J, T_STG

-65 to +175

Notes :

(1) Reverse Recovery Test Conditions : IF = 0.5 A, IRM = 1.0 A, IR(REC) = 0.25 A.

(2) At 3/8"(10 mm) lead length form body.

Page 1 of 1

Rev. 02 : July 24, 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5622/4	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AP, HERMETIC SEALED, GLASS PA
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1N5622-E3/54	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AP, ROHS COMPLIANT, HERMETIC
1N5622GP	VISHAY	获取价格	Glass Passivated Junction Rectifier
1N5622GP/100-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
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