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1N5621US

更新时间: 2024-02-14 12:59:32
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
Fast Rectifier (100-500ns)

1N5621US 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.11
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:0.25 µs
表面贴装:YES端子形式:WRAP AROUND
端子位置:ENDBase Number Matches:1

1N5621US 数据手册

 浏览型号1N5621US的Datasheet PDF文件第2页 

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