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1N5621GP-E3/73

更新时间： 2024-01-27 06:16:03

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	79K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, DO-41, 2 PIN

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1N5621GP-E3/73 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-15
包装说明：	DO-41, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JEDEC-95代码：	DO-204AC	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	50 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	800 V	最大反向恢复时间：	0.3 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
Base Number Matches：	1

1N5621GP-E3/73 数据手册

1N5615GP, 1N5617GP, 1N5619GP, 1N5621GP, 1N5623GP

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

Glass Passivated Junction Fast Switching Plastic Rectifier

FEATURES

• Superectifier structure for high reliability condition

SUPERECTIFIER^®

• Cavity-free glass-passivated junction

• Fast switching for high efficiency

• Low leakage current

• High forward surge capability

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DO-204AC (DO-15)

TYPICAL APPLICATIONS

For use in fast switching rectification of power supply,

inverters, converters and freewheeling diodes for consumer

and telecommunication.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

1.0 A

V_RRM

200 V, 400 V, 600 V, 800 V, 1000 V

I_FSM

50 A

150 ns, 250 ns, 300 ns, 500 ns

0.5 μA

MECHANICAL DATA

t_rr

I_R

Case: DO-204AC, molded epoxy over glass body

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

V_F

1.2 V

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

T_Jmax.

Package

Diode variation

175 °C

DO-204AC (DO-15)

Single die

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL 1N5615GP 1N5617GP 1N5619GP 1N5621GP 1N5623GP

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum DC blocking voltage

1000

Maximum average forward rectified current

I_F(AV)

I_FSM

1.0

0.375" (9.5 mm) lead length at T_A= 55 °C

Peak forward surge current 8.3 ms single half

sine-wave superimposed on rated load

Operating junction and

storage temperature range

T_J, T_STG

-65 to +175

°C

Revision: 07-Nov-16

Document Number: 88522

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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1N5621GP-HE3/54	VISHAY	获取价格	1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N5621GPHE3/73	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D
1N5621GP-HE3/73	VISHAY	获取价格	1A, 800V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N5621R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, GLASS PACKAGE-2
1N5621TR	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon
1N5621UL	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, MELF-2
1N5621US	SENSITRON	获取价格	Fast Recovery Rectifier
1N5621US	MICROSEMI	获取价格	Fast Rectifier (100-500ns)
1N5621USS	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon,

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