生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-MELF-N2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.63 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | O-MELF-N2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 1 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 认证状态: | Not Qualified |
最大反向恢复时间: | 2 µs | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | END |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N5614V | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon | |
1N5615 | MICROSEMI |
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MILITARY RECTIFIERS | |
1N5615 | SENSITRON |
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Fast Recovery Rectifier | |
1N5615 | NJSEMI |
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RECTIFIERS Fast Recovery, 1 Amp | |
1N5615 | SEMTECH |
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RECTIFIER, up to 1kV, 2A, 150-500ns | |
1N5615 | VISHAY |
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GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER | |
1N5615/ | NJSEMI |
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Diode Switching 200V 2A 2-Pin Case G-2 | |
1N5615_07 | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
1N5615BK | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon | |
1N5615GP | VISHAY |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER |