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1N5530D

更新时间: 2023-09-24 09:30:19
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NJSEMI 测试二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
1页 191K
描述
Diode Zener Single 10V 1% 400mW 2-Pin DO-35

1N5530D 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.12Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:60 Ω
JEDEC-95代码:DO-7JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:10 V
最大反向电流:0.05 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:7.5 mV/ °C最大电压容差:1%
工作测试电流:1 mABase Number Matches:1

1N5530D 数据手册

  

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