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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED, LOW NOISE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 6.8 V |
| 最大反向电流： | 1 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 最大电压容差： | 1% | 工作测试电流： | 1 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5526D-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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| 1N5526D-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-7, 2 PIN |
|
| 1N5526D-1E3TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME |
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| 1N5526D-1TR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N5526D7 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 20%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
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| 1N5526D7E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 20%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
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| 1N5526DCO | AEROFLEX |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 1%, Silicon, Unidirectional, DIE-1 |
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| 1N5526DD7 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 1%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
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| 1N5526DE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME |
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| 1N5526DE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.8V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME |
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