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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.3 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 30 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 6.8 V | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 10% | 工作测试电流： | 1 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N5526B | CENTRAL |
功能相似  |
6.8V,400mW Through-Hole Diode-Zener Single: Low Level |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5526A-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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| 1N5526A-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GL |
|
| 1N5526A-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GL |
|
| 1N5526ACO | AEROFLEX |
获取价格 |
Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, Silicon, Unidirectional, DIE-1 |
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| 1N5526AD7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
|
| 1N5526AD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
| 1N5526ATR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
|
| 1N5526AUR | MICROSEMI |
获取价格 |
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
|
| 1N5526AUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
|
| 1N5526AUR-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERM |
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