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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.08 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | ULTRA LOW NOISE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 24 Ω | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 3.6 V | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 20 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5519B(DO35) | MICROSEMI |
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Low Voltage Avalanche Zener |
|
| 1N5519B(DO35)E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N5519B-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
|
| 1N5519B-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
|
| 1N5519B-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N5519B-1E3TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME |
|
| 1N5519B-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| 1N5519BBK | CENTRAL |
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Zener Diode, 3.6V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N5519BBKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 3.6V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N5519BBKTIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, |
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