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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | DIE | 包装说明： | X-XUUC-N |
| 针数： | 1 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.40 |
| 风险等级： | 5.28 | 最小击穿电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管电容容差： | 10% |
| 最小二极管电容比： | 2.9 | 标称二极管电容： | 82 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JESD-30 代码： | X-XUUC-N | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小质量因数： | 225 | 最大反向电流： | 0.02 µA |
| 反向测试电压： | 25 V | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5475B | MICROSEMI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 82pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 |
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| 1N5475B | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 82pF C(T), 30V, S |
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| 1N5475B | NJSEMI |
获取价格 |
Diode VAR Cap Single 30V 82pF 2-Pin DO-7 |
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| 1N5475BCO | AEROFLEX |
获取价格 |
82pF, 30V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DIE-1 |
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| 1N5475C | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 82pF C(T), 30V, S |
|
| 1N5475C | NJSEMI |
获取价格 |
Diode VAR Cap Single 30V 82pF 2-Pin DO-7 |
|
| 1N5475C12 | SKYWORKS |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 82pF C(T) |
|
| 1N5475C18 | SKYWORKS |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 82pF C(T) |
|
| 1N5475CCHIP | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 82pF C(T), 30V, S |
|
| 1N5475CCO | AEROFLEX |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 82pF C(T), 30V, Silicon, DIE-1 |
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