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1N5470B

更新时间： 2024-02-26 18:44:59
品牌 Logo 应用领域
艾法斯 - AEROFLEX 测试二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
1页 12K
描述
33pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7, GLASS PACKAGE-2

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1N5470B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
标称二极管电容：33 pF二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-609代码：e0最小质量因数：500
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Varactors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

1N5470B 数据手册

  
KNOX SEMICONDUCTOR, INC.  
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES  
1N5441 TO 1N5476  
TYPE  
NUMBER  
CAPACITANCE  
@ - 4 Vdc • 1 MHz  
(pF)  
TUNING RATIO  
C•2 V / C•30V  
MIN QUALITY FACTOR  
Q @ - 4 Vdc  
MIN  
MAX  
f = 50 MHz  
1N5441  
1N5442  
6.8  
8.2  
2.5  
2.5  
3.1  
3.1  
450  
450  
1N5443  
1N5444  
10.0  
12.0  
2.6  
2.6  
3.1  
3.1  
400  
400  
1N5445  
1N5446  
15.0  
18.0  
2.6  
2.6  
3.1  
3.1  
400  
350  
1N5447  
1N5448  
20.0  
22.0  
2.6  
2.6  
3.1  
3.2  
350  
350  
1N5449  
1N5450  
27.0  
33.0  
2.6  
2.6  
3.2  
3.2  
350  
350  
1N5451  
1N5452  
39.0  
47.0  
2.6  
2.6  
3.2  
3.2  
300  
250  
1N5453  
1N5454  
56.0  
68.0  
2.6  
2.7  
3.3  
3.3  
200  
175  
1N5455  
1N5456  
82.0  
100.0  
2.7  
2.7  
3.3  
3.3  
175  
175  
¨ 1N5461  
¨ 1N5462  
6.8  
8.2  
2.7  
2.8  
3.1  
3.1  
600  
600  
¨ 1N5463  
¨ 1N5464  
10.0  
12.0  
2.8  
2.8  
3.1  
3.1  
550  
550  
¨ 1N5465  
¨ 1N5466  
15.0  
18.0  
2.8  
2.9  
3.1  
3.1  
550  
500  
¨ 1N5467  
¨ 1N5468  
20.0  
22.0  
2.9  
2.9  
3.1  
3.2  
500  
500  
¨ 1N5469  
¨ 1N5470  
27.0  
33.0  
2.9  
2.9  
3.2  
3.2  
500  
500  
¨ 1N5471  
¨ 1N5472  
39.0  
47.0  
2.9  
2.9  
3.2  
3.2  
450  
400  
¨ 1N5473  
¨ 1N5474  
56.0  
68.0  
2.9  
2.9  
3.3  
3.3  
300  
250  
¨ 1N5475  
¨ 1N5476  
82.0  
100.0  
2.9  
2.9  
3.3  
3.3  
225  
200  
Package style  
DO-7  
DC Power Dissipation  
Min Reverse Breakdown Voltage  
Max Reverse Current (IR)  
Max Reverse Current (IR2)  
Temp. Coefficient of Capacitance  
Operating Temperature (Topr)  
Storage Temperature (Tstg)  
Capacitance Tolerance  
@ Ta = 25°C  
@ IR = 10 µA  
@ 25 Vdc  
@ 25 Vdc 150°C  
@ Vr -4 Vdc, Ta -65° to + 85°c  
400 mW  
30 V  
0.02 µA  
20 µA  
.04% /°C  
-65 to +175°C  
-65 to +200°C  
±20%  
Standard Device  
Suffix A  
±10%  
Suffix B  
±5%  
Suffix C  
±2%  
¨
DENOTES MILITARY APPROVAL FOR JAN - JANTX – JANTXV (B & C Tolerance only)  
P.O. BOX 609 • ROCKPORT, MAINE 04856 • 207•236•6076  
•
FAX 207•236•9558  
-25-  
1

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与1N5470B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5470B06 SKYWORKS

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 		Variable Capacitance Diode, 33pF C(T)
1N5470BCHIP APITECH

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 		Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, S
1N5470BCO AEROFLEX

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1N5470C APITECH

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 		Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, S
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