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1N5461B

更新时间： 2024-11-22 07:18:07
品牌 Logo 应用领域
艾法斯 - AEROFLEX /
页数 文件大小 规格书
1页 12K
描述
6.8pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7, GLASS PACKAGE-2

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1N5461B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：DO-7包装说明：O-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.26最小击穿电压：30 V
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管电容容差：5%最小二极管电容比：2.7
标称二极管电容：6.8 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODEJEDEC-95代码：DO-7
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.4 W认证状态：Not Qualified
最小质量因数：600最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向电流：2e-8 µA反向测试电压：25 V
子类别：Varactors表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
变容二极管分类：ABRUPT

1N5461B 数据手册

  
KNOX SEMICONDUCTOR, INC.  
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES  
1N5441 TO 1N5476  
TYPE  
NUMBER  
CAPACITANCE  
@ - 4 Vdc • 1 MHz  
(pF)  
TUNING RATIO  
C•2 V / C•30V  
MIN QUALITY FACTOR  
Q @ - 4 Vdc  
MIN  
MAX  
f = 50 MHz  
1N5441  
1N5442  
6.8  
8.2  
2.5  
2.5  
3.1  
3.1  
450  
450  
1N5443  
1N5444  
10.0  
12.0  
2.6  
2.6  
3.1  
3.1  
400  
400  
1N5445  
1N5446  
15.0  
18.0  
2.6  
2.6  
3.1  
3.1  
400  
350  
1N5447  
1N5448  
20.0  
22.0  
2.6  
2.6  
3.1  
3.2  
350  
350  
1N5449  
1N5450  
27.0  
33.0  
2.6  
2.6  
3.2  
3.2  
350  
350  
1N5451  
1N5452  
39.0  
47.0  
2.6  
2.6  
3.2  
3.2  
300  
250  
1N5453  
1N5454  
56.0  
68.0  
2.6  
2.7  
3.3  
3.3  
200  
175  
1N5455  
1N5456  
82.0  
100.0  
2.7  
2.7  
3.3  
3.3  
175  
175  
¨ 1N5461  
¨ 1N5462  
6.8  
8.2  
2.7  
2.8  
3.1  
3.1  
600  
600  
¨ 1N5463  
¨ 1N5464  
10.0  
12.0  
2.8  
2.8  
3.1  
3.1  
550  
550  
¨ 1N5465  
¨ 1N5466  
15.0  
18.0  
2.8  
2.9  
3.1  
3.1  
550  
500  
¨ 1N5467  
¨ 1N5468  
20.0  
22.0  
2.9  
2.9  
3.1  
3.2  
500  
500  
¨ 1N5469  
¨ 1N5470  
27.0  
33.0  
2.9  
2.9  
3.2  
3.2  
500  
500  
¨ 1N5471  
¨ 1N5472  
39.0  
47.0  
2.9  
2.9  
3.2  
3.2  
450  
400  
¨ 1N5473  
¨ 1N5474  
56.0  
68.0  
2.9  
2.9  
3.3  
3.3  
300  
250  
¨ 1N5475  
¨ 1N5476  
82.0  
100.0  
2.9  
2.9  
3.3  
3.3  
225  
200  
Package style  
DO-7  
DC Power Dissipation  
Min Reverse Breakdown Voltage  
Max Reverse Current (IR)  
Max Reverse Current (IR2)  
Temp. Coefficient of Capacitance  
Operating Temperature (Topr)  
Storage Temperature (Tstg)  
Capacitance Tolerance  
@ Ta = 25°C  
@ IR = 10 µA  
@ 25 Vdc  
@ 25 Vdc 150°C  
@ Vr -4 Vdc, Ta -65° to + 85°c  
400 mW  
30 V  
0.02 µA  
20 µA  
.04% /°C  
-65 to +175°C  
-65 to +200°C  
±20%  
Standard Device  
Suffix A  
±10%  
Suffix B  
±5%  
Suffix C  
±2%  
¨
DENOTES MILITARY APPROVAL FOR JAN - JANTX – JANTXV (B & C Tolerance only)  
P.O. BOX 609 • ROCKPORT, MAINE 04856 • 207•236•6076  
•
FAX 207•236•9558  
-25-  
1

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与1N5461B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5461BCO AEROFLEX

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 		Variable Capacitance Diode, 6.8pF C(T), 30V, Silicon, DIE-1
1N5461C APITECH

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 		Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 6.8pF C(T), 30V,
1N5461C NJSEMI

获取价格

 		Diode VAR Cap Single 30V 6.8pF 2-Pin DO-7
1N5461CCHIP APITECH

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 		Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 6.8pF C(T), 30V,
1N5461CCO AEROFLEX

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1N5462 AEROFLEX

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 		8.2pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7, GLASS PACKAGE-2
1N5462 MICROSEMI

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 		Variable Capacitance Diode, 8.2pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7,
1N5462 KNOX

获取价格

 		GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES

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