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1N5407-TP

更新时间： 2024-11-23 21:14:19
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 495K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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1N5407-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：7.54
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N5407-TP 数据手册

 浏览型号1N5407-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N5407-TP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N5407-TP的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
1N5400  
THRU  
1N5408  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·
•
Low Current Leakage and Low Forward Voltage  
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
3 Amp Rectifier  
50 - 1000 Volts  
·
·
Maximum Ratings  
DO-201AD  
·
·
·
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
Maximum Thermal Resistance; 30°C/W Junction To Lead  
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak  
Reverse  
Voltage  
50V  
100V  
200V  
400V  
500V  
600V  
800V  
1000V  
Maximum Maximum  
RMS  
DC  
Voltage  
Blocking  
Voltage  
D
1N5400  
1N5401  
1N5402  
1N5404  
1N5405  
1N5406  
1N5407  
1N5408  
1N5400  
1N5401  
1N5402  
1N5404  
1N5405  
1N5406  
1N5407  
1N5408  
35V  
70V  
140V  
280V  
350V  
50V  
100V  
200V  
400V  
500V  
A
Cathode  
Mark  
B
420V  
560V  
700V  
600V  
800V  
1000V  
D
C
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
3.0A  
Ta = 105°C  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
200A  
8.3ms, half sine  
DIMENSIONS  
INCHES  
MAX  
MM  
Forward Voltage  
VF  
IR  
1.0V  
IF= 3.0A;  
T = 25°C  
a
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.287  
.189  
MIN  
7.30  
4.80  
1.20  
25.40  
MAX  
9.50  
5.30  
1.30  
---  
NOTE  
.374  
.208  
.052  
---  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
.048  
1.000  
5.0mA  
100mA  
Ta= 25°C  
Ta= 150°C  
Typical Junction  
Capacitance  
CJ  
40pF  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
www.mccsemi.com  
Revision: B  
2013/01/01  
1 of 4  
1234

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1N5407-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N5407G ONSEMI

功能相似

 Axial−Lead Standard Recovery Rectifiers
1N5407RLG ONSEMI

功能相似

 Axial−Lead Standard Recovery Rectifiers

与1N5407-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5407TR CENTRAL

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5407U23 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5407U26 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5407U27 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5408 WTE

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 		3.0A SILICON RECTIFIER
1N5408 SYNSEMI

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 		SILICON RECTIFIER DIODES
1N5408 SSC

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 		3A Silicon Rectifiers
1N5408 DCCOM

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 		TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER
1N5408 ONSEMI

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 		Axial-Lead Standard Recovery Rectifiers
1N5408 WEITRON

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 		Axial Lead Silicon Rectifiers SILICON RECTIFIERS 3.0 AMPERES 50-1000 VOLTS

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