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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N5407
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1N5407

更新时间： 2024-09-16 05:55:59
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 180K
描述
Silicon Rectifiers

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1N5407 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：0.73Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JEDEC-95代码：DO-201JESD-30 代码：O-PALF-W2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：800 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N5407 数据手册

 浏览型号1N5407的Datasheet PDF文件第2页 
1N 5400 … 1N 5408  
Silicon Rectifiers  
Silizium Gleichrichter  
Nominal current – Nennstrom  
3 A  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50…1000 V  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
~ DO-201  
1 g  
Weight approx. – Gewicht ca.  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
VRRM [V]  
1N 5400  
1N 5401  
1N 5402  
1N 5403  
1N 5404  
1N 5405  
1N 5406  
1N 5407  
1N 5408  
50  
50  
100  
200  
300  
400  
500  
600  
800  
1000  
100  
200  
300  
400  
500  
600  
800  
1000  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 50ꢀC  
f > 15 Hz  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
3 A 1)  
30 A 1)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 / 60 Hz Sinus-Halbwelle  
180 / 200 A  
166 A2s  
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms  
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
68  
28.02.2002  
12

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1N5407 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N5407K DIOTEC

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5407(G) LGE

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 		暂无描述
1N5407/4E-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5407/4F VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5407/4F-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5407/4H-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5407/51 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5407/51-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5407/53 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5407/53-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5407/54 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

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