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1N5406-A

更新时间: 2024-11-20 19:58:51
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美台 - DIODES 二极管
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1页 87K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon,

1N5406-A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.31应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.95 VJESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:3 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):235
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向电流:5 µA表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

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