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1N5405G

更新时间： 2024-11-19 22:38:07

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乐山 - LRC		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	51K
描述
3A GENERAL PURPOSE GPP DIODES

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1N5405G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.43
Is Samacsys：	N	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-50 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	500 V
最大反向电流：	10 µA	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N5405G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

1N5400G – 1N5406G

3A GENERAL PURPOSE GPP DIODES

Maximum

Forward

Maximum Average

Maximum

Forward Peak

Maximum

Reverse

Package

Maximum

Peak Reverse

Voltage

Rectified Current

@ Half-Wave

TYPE

Dimensions

Voltage

Surge Current @

8.3ms Superimposed

Current @ PRV

@ T_A=25ºC

Resistive Load 60Hz

PRV

V _PK

I _O@ T _L

I _FM(Surge)

A _PK

I _FM

A_PK

V _FM

V _PK

A_AV

ºC

µAdc

1N5400G

1N5401G

1N5402G

1N5403G

1N5404G

1N5405G

1N5406G

100

200

400

600

800

1000

3.0

105

200

5.0

3.0

1.0

DO –

201AD

.375(9.5)

.335(8.5)

1.0(25.4)

MIN

1.0(25.4)

MIN

.052(1.3)

.048(1.2)

DIA

.220(5.6)

.197(5.0)

DIA

DO – 201AD

34A–1/2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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