1N5404GB-G

更新时间： 2024-11-19 13:03:39

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Rectifier Diode,

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1N5404GB-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
JEDEC-95代码：	DO-27	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	125 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向电流：	5 µA
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5404GB-G 数据手册

3.0A Rectifier

CCOOMMCCHHIIPP

www.comchiptech.com

1N5400 thru 1N5408

DO-201AD

Reverse Voltage: 50 to 1000V

Forward Current: 3.0A

Features

- Diffused Junction

1.0 (25.4)

Min.

0.189 (4.8)

0.209 (5.3)

Dia.

- High Current Capability and Low Forward

Voltage Drop

- Surge Overload Rating to 200APeak

- Low Reverse Leakage Current

- Plastic Material: UL Flammability

Classification Rating 94V-0

0.284 (7.2)

0.374 (9.5)

Mechanical Data

1.0 (25.4)

Min.

- Case: DO-201AD, Molded Plastic

- Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

0.047 (1.2)

0.051 (1.3)

Dia.

- Polarity: Cathode Band

- Weight: 1.1 grams (approx.)

Dimensions in inches and (millimeters)

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

5400

5401

5402

5404

5406

5407

5408

Characteristic

Symbol

Unit

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

100

200

140

400

600

420

800

560

1000

700

V_R(RMS)

I_O

RMS Reverse Voltage

280

3.0

Average Rectified Output Current

@ T_A= 105°C

(Note 1)

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

I_FSM

8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

200

1.0

Forward Voltage

@ I_F= 3.0A

V_FM

I_RM

Peak Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ T_A= 25°C

@ T_A= 150°C

100

C_j

Typical Junction Capacitance

(Note 2)

K/W

°C

R_qJA

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

T_j,T_STG

-65 to +150

Notes:

1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.

2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

Page 1

MDS0312006A

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与1N5404GB-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5404G-E	GULFSEMI	获取价格	GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A
1N5404GH32-1	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5404GH35	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5404GH36-1	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5404GH36-4	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5404G-K	TSC	获取价格	3A, 50V - 1000V Glass Passivated Rectifier
1N5404GM	GULFSEMI	获取价格	GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A
1N5404GM21	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5404GM22	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5404GM24	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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