1N5404-T/B

更新时间： 2024-10-02 13:00:15

品牌	Logo	应用领域
FRONTIER		/
页数	文件大小	规格书
2页	117K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N5404-T/B 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大反向电流：	5 µA	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N5404-T/B 数据手册

Frontier Electronics Corp.

667 E. COCHRAN STREET, SIMI VALLEY, CA 93065

TEL: (805) 522-9998 FAX: (805) 522-9989

E-mail: frontiersales@frontierusa.com

Web: http://www.frontierusa.com

3A GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER

1N5400 THRU 1N5408

FEATURES

z LOW COST

z UL 94V0 FLAME RETARDANT EPOXY MOLDING COMPOUND

z DIFFUSED JUNCTION

1.0(25.4)

MIN

z HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY

.052(1.3)

.048(1.2)

.375(9.5)

.335(8.5)

MECHANICAL DATA

z CASE: TRANSFER MOLDED, DO201AD, DIMENSIONS

IN INCHES AND (MILLIMETERS)

.220(5.6)

.197(5.0)

z LEADS: SOLDERABLE PER MIL-STD-202, METHOD 208

z POLARITY: CATHODE INDICATED BY COLOR BAND

z WEIGHT: 1.2 GRAMS

1.0(25.4)

MIN

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS RATINGS AT 25°C AMBIENT TEMPERATURE UNLESS OTHERWISE SPECIFIED

SINGLE PHASE, HALF WAVE, 60 HZ, RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD. FOR CAPACITIVE LOAD, DERATE CURRENT BY 20%

RATINGS

SYMBOL 1N5400 1N5401 1N5402 1N5404 1N5406 1N5407 1N5408 UNITS

MAXIMUM RECURRENT PEAK REVERSE VOLTAGE

MAXIMUM RMS VOLTAGE

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

MAXIMUM DC BLOCKING VOLTAGE

100

1000

MAXIMUM AVERAGE FORWARD RECTIFIED CURRENT

I_O

3.0

.375〞(9.5mm) LEAD LENGTH AT TA=55°C

PEAK FORWARD SURGE CURRENT, 8.3ms SINGLE HALF

SINE-WAVE SUPERIMPOSED ON RATED LOAD

TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE (NOTE 1)

I_FSM

C_J

200

TYPICAL THERMAL RESISTANCE (NOTE 2)

STORAGE TEMPERATURE RANGE

℃/W

θja

T_STG

T_OP

-55 TO + 150

-55 TO + 125

℃

OPERATING TEMPERATURE RANGE

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (A_TT_A=25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)

CHARACTERISTICS

MAXIMUM FORWARD VOLTAGE AT I_ODC

MAXIMUM REVERSE CURRENT AT 25℃

SYMBOL 1N5400 1N5401 1N5402 1N5404 1N5406 1N5407 1N5408 UNITS

V_F

I_R

1.2

μA

MAXIMUM REVERSE CURRENT AT100℃

I_R

μA

NOTE: 1. MEASURED AT 1MHZ AND APPLIED REVERSE VOLTAGE OF 4.0 VOLTS

2. BOTH LEADS ATTACHED TO HEAT SINK 63.5x63.5x1t(mm) COPPER PLATE AT LEAD LENGTH 5mm

1N5400 THRU 1N5408

Page: 1

中文翻译

下载PDF

与1N5404-T/B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5404-T/R	FRONTIER	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
1N5404-T3	WTE	获取价格	3.0A SILICON RECTIFIER
1N5404-T3	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5404-T3-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P
1N5404-TB	WTE	获取价格	3.0A SILICON RECTIFIER
1N5404-TB-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P
1N5404T-G	COMCHIP	获取价格	暂无描述
1N5404-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P
1N5404-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5404-TR	TAITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P

与1N5404-T/B相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

32
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

29
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N5404-T/B

1N5404-T/B 技术参数

1N5404-T/B 数据手册

与1N5404-T/B相关器件

与1N5404-T/B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N5404-T/B

1N5404-T/B 技术参数

1N5404-T/B 数据手册

与1N5404-T/B相关器件

与1N5404-T/B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？