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1N5402-T

更新时间： 2024-02-26 09:59:31

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Rectifier Diode

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1N5402-T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-201AD
包装说明：	R-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	7.76	Samacsys Description：	200V 3A Switching Diode 2-Pin DO-201AD Diodes Inc 1N5402-T Switching Diode, 2-Pin DO-201AD
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-201AD	JESD-30 代码：	R-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Bright Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40

1N5402-T 数据手册

M C C

1N5400

THRU

1N5408

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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Micro Commercial Components

Features

Low Current Leakage

Low Forward Voltage

High Current Capability

3 Amp Rectifier

50 - 1000 Volts

•

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0

Maximum Ratings

DO-201AD

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 30°C/W Junction To Lead

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak

Reverse

Voltage

50V

100V

200V

400V

500V

600V

800V

1000V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

1N5400

1N5401

1N5402

1N5404

1N5405

1N5406

1N5407

1N5408

1N5400

1N5401

1N5402

1N5404

1N5405

1N5406

1N5407

1N5408

35V

70V

140V

280V

350V

50V

100V

200V

400V

500V

Cathode

Mark

420V

560V

700V

600V

800V

1000V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

3.0A

T_a= 105°C

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

200A

8.3ms, half sine

DIMENSIONS

INCHES

MAX

Forward Voltage

V_F

I_R

1.0V

I_F= 3.0A;

T = 25°C

DIM

MIN

.287

.189

MIN

7.30

4.80

1.20

25.40

MAX

9.50

5.30

1.30

---

NOTE

.374

.208

.052

---

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

.048

1.000

5.0mA

100mA

T_a= 25°C

T_a= 150°C

Typical Junction

Capacitance

C_J

40pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

www.mccsemi.com

Revision: 9

2006/04/30

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与1N5402-T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5402-T/B	FRONTIER	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,	获取价格
1N5402-T/R	FRONTIER	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,	获取价格
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1N5402-T3	SENSITRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2	获取价格
1N5402-TB	WTE	3.0A SILICON RECTIFIER	获取价格
1N5402-TB-LF	WTE	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P	获取价格