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1N5402

更新时间： 2024-10-15 14:51:07
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4页 41K
描述
Axial

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1N5402 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.08其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：200 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N5402 数据手册

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®
1N5400 – 1N5408  
3.0A STANDARD DIODE  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Diffused Junction  
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Reliability  
A
B
A
High Surge Current Capability  
Mechanical Data  
C
Case: DO-201AD, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band  
Weight: 1.2 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
D
DO-201AD  
Min  
Dim  
A
Max  
—
25.4  
B
7.20  
9.50  
1.30  
5.30  
C
1.20  
D
4.80  
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
5400 5401 5402 5404 5406 5407 5408  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
280  
3.0  
V
A
Average Rectified Output Current (Note 1) @TA = 75°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
200  
1.0  
A
Forward Voltage  
@IF = 3.0A  
VFM  
IRM  
V
Peak Reverse Current  
@TA = 25°C  
5.0  
100  
µA  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 100°C  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
CJ  
RθJA  
TJ  
30  
pF  
°C/W  
°C  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1)  
Operating Temperature Range  
20  
-65 to +125  
-65 to +150  
Storage Temperature Range  
TSTG  
°C  
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Measured at 1.0 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5402(G) LGE

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 		暂无描述
1N5402/100 VISHAY

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1N5402/4E VISHAY

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1N5402/4H VISHAY

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