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1N5402-13

更新时间: 2024-02-26 18:57:41
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美台 - DIODES 二极管
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1页 126K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

1N5402-13 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.05应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-201ADJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):235
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

1N5402-13 数据手册

  

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