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1N5401G-E

更新时间： 2024-02-05 10:51:50

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GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A

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1N5401G-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.04
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N5401G-E 数据手册

1N5400G-E THRU 1N5408G-E

GLASS PASSIVATED

JUNCTION RECTIFIER

VOLTAGE: 50V to 1000V

CURRENT: 3.0A

DO - 201AD

FEATURE

Molded case feature for auto insertion

High current capability

Low leakage current

High surge capability

High temperature soldering guaranteed

250°C /10sec/0.375" lead length at 5 lbs tension

Glass Passivated chip

Halogen Free

MECHANICAL DATA

Terminal: Plated axial leads solderable per

MIL-STD 202E, method 208C

Case: Molded with UL-94 Class V-0 Halogen Free Epoxy

Polarity: color band denotes cathode

Mounting position: any

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated,

for capacitive load, derate current by 20%)

540

G-

540 540 540 540 540 540 540 540

0G- 1G- 2G- 3G- 4G- 5G- 6G- 7G-

SYMBOL

units

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Vrrm

Vrms

Vdc

100 200 300 400 500 600 800 1000

70 140 210 280 350 420 560 700

Maximum DC blocking Voltage

100 200 300 400 500 600 800 1000

3.0

Maximum Average Forward Rectified Current

3/8" lead length at T_L=105°C

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half

sine-wave superimposed on rated load

Maximum Instantaneous Forward Voltage at

rated forward current

If(av)

Ifsm

180

1.1

Maximum full load reverse current full cycle at

T_L=75°C

Ir(av)

30.0

µA

5.0

100.0

Maximum DC Reverse Current

at rated DC blocking voltage

Ta =25°C

Ta =125°C

µA

Typical Junction Capacitance

Operating Temperature

(Note 1)

(Note 2)

°C/W

°C

Rth(ja)

Tstg, Tj

Storage and Operating Junction Temperature

Note:

-55 to +150

1. Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0Vdc

2. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 0.375" lead length, P.C. Board Mounted

Rev.A2

www.gulfsemi.com

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与1N5401G-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5401GH33	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD,	获取价格
1N5401GH34	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD,	获取价格
1N5401GH36-1	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD,	获取价格
1N5401G-K	TSC	3A, 50V - 1000V Glass Passivated Rectifier	获取价格
1N5401GL-Z21D-B	UTC	GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER	获取价格
1N5401GM	GULFSEMI	GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A	获取价格

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