5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.27 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-201AD | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 125 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 最大反向恢复时间： | 2 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5400G-A | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, |
|
| 1N5400G-B | DIODES |
获取价格 |
3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
|
| 1N5400G-E | GULFSEMI |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A |
|
| 1N5400GH31 | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5400GH32 | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5400GH33 | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5400GH34 | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5400GH36-2 | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5400GH36-4 | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5400G-K | TSC |
获取价格 |
3A, 50V - 1000V Glass Passivated Rectifier |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
