1N5399-TB

更新时间： 2024-02-25 10:10:32

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1.5A SILICON RECTIFIER

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1N5399-TB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-15	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.03	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-15
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	最大非重复峰值正向电流：	50 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5399-TB 数据手册

WTE

PO WER SEM ICONDUCTORS

1N5391 – 1N5399

1.5A SILICON RECTIFIER

Features

Diffused Junction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Reliability

High Surge Current Capability

Mechanical Data

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

Weight: 0.40 grams (approx.)

Mounting Position: Any

DO-15

Dim

Min

25.4

5.50

0.71

2.60

Max

—

7.62

0.864

3.60

Marking: Type Number

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

5391

5392

5393

5395

5397

5398

5399

Characteristic

Symbol

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

200

140

400

600

420

800

560

1000

700

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

280

1.5

Average Rectified Output Current

(Note 1)

@T_A= 75°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

I^FSM

Forward Voltage

@I_F= 1.5A

V^FM

I^RM

1.0

µA

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage @T_A= 100°C

@T_A= 25°C

5.0

Typical Junction Capacitance (Note 2)

C^j

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient

(Note 1)

R^ꢀ^JA

K/W

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

T^j

-65 to +125

-65 to +150

°C

T^STG

*Glass passivated forms are available upon request

Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case

2. Measured at 1.0 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.

1N5391 – 1N5399

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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1N5399TR	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N5399TRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41,
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