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1N5396GP

更新时间： 2024-11-25 06:17:27
品牌 Logo 应用领域
海湾 - GULFSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 152K
描述
SINTERED GLASS JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT: 1.5A

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1N5396GP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.1Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.4 V
JEDEC-95代码：DO-15JESD-30 代码：O-PALF-W2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：500 V
最大反向电流：5 µA最大反向恢复时间：2 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

1N5396GP 数据手册

 浏览型号1N5396GP的Datasheet PDF文件第2页 
1N5391GP THRU 1N5399GP  
SINTERED GLASS JUNCTION  
PLASTIC RECTIFIER  
VOLTAGE:50 TO 1000V  
CURRENT: 1.5A  
DO-15  
FEATURE  
High temperature metallurgically bonded construction  
Sintered glass cavity free junction  
Capability of meeting environmental standard of  
MIL-S-19500  
High temperature soldering guaranteed  
350°C /10sec/0.375”lead length at 5 lbs tension  
Operate at Ta =55°C with no thermal run away  
Typical Ir<0.1µA  
MECHANICAL DATA  
Terminal: Plated axial leads solderable per  
MIL-STD 202E, method 208C  
Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame  
Retardant Epoxy  
Polarity: color band denotes cathode  
Mounting position: any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated,  
for capacitive load, derate current by 20%)  
1N5391  
GP  
1N5392  
GP  
1N5393  
GP  
1N5394  
GP  
1N5395  
GP  
1N5396  
GP  
1N5397  
GP  
1N5398  
GP  
1N5399  
GP  
SYMBOL  
units  
*
*
*
*
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Vrrm  
Vrms  
Vdc  
50  
35  
50  
100  
70  
V
V
V
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
500  
350  
500  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Maximum DC blocking Voltage  
100  
1000  
Maximum Average Forward Rectified  
If(av)  
1.5  
A
Current 3/8”lead length at Ta =60°C  
*
Peak Forward Surge Current 8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
Ifsm  
Vf  
50.0  
1.4  
A
V
Maximum Instantaneous Forward Voltage at  
1.5A  
Maximum full load reverse current full cycle  
*
*
Ir(av)  
300.0  
µA  
Average at 70°C  
5.0  
*
µ
µ
µ
pF  
°C /W  
°C  
A
A
S
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC blocking voltage  
Typical Reverse Recovery Time  
Ta =25°C  
Ta =150°C  
(Note 1)  
Ir  
300.0  
Trr  
Cj  
2.0  
15.0  
Typical Junction Capacitance  
Typical Thermal Resistance  
(Note 2)  
(Note 3)  
R(ja)  
Tstg, Tj  
45.0  
*
Storage and Operating Junction Temperature  
-65 to +175  
Note:  
1. Reverse Recovery Condition If =0.5A, Ir =1.0A, Irr =0.25A  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc  
3. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 3/8”lead length, P.C. Board Mounted  
* JEDEC Registered value  
Rev.A4  
www.gulfsemi.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5396GP/100 VISHAY

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 		DIODE 1.5 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Rectifier D
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