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1N5381BE3

更新时间: 2024-01-06 05:46:59
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 318K
描述
Zener Diode, 130V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN

1N5381BE3 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.13Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:190 ΩJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:130 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:10 mABase Number Matches:1

1N5381BE3 数据手册

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