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1N5345AE3/TR7

更新时间: 2024-09-13 15:38:31
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 318K
描述
Zener Diode, 8.7V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, DO-201AE,

1N5345AE3/TR7 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.63
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-201AE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W标称参考电压:8.7 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:MATTE TIN端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:10%
工作测试电流:150 mABase Number Matches:1

1N5345AE3/TR7 数据手册

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