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1N5303

更新时间: 2024-01-26 17:20:20
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美高森美 - MICROSEMI 稳流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 92K
描述
HIGH RELIABILITY CURRENT REGULATOR DIODES

1N5303 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.03
Is Samacsys:N其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:CURRENT REGULATOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0膝阻抗最大值:92000 Ω
最大限制电压:1.65 V元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称调节电流 (Ireg):1.6 mA
最大重复峰值反向电压:100 V表面贴装:NO
技术:FIELD EFFECT端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N5303 数据手册

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