1N53

更新时间： 2024-09-30 06:19:03

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ASI		微波混频二极管
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1页	147K
描述
SILICON MIXER DIODE

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1N53 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	频带：	KA BAND
最大阻抗：	800 Ω	最小阻抗：	400 Ω
JEDEC-95代码：	DO-36	最大噪声指数：	13.1 dB
最高工作温度：	70 °C	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Microwave Mixer Diodes	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

1N53 数据手册

1N53

SILICON MIXER DIODE

PACKAGE STYLE DO- 36

DESCRIPTION:

The ASI 1N53 is a Silicon Mixer

Diode Designed for low noise

performance in

Ka-Band Applications Operating up to

35 GHz.

FEATURES:

•

Low Noise Fugure

•

Wider Bandwith than cartridge

diodes inX Band

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIM

UNITS

F = 9375 MHz

R_L= 100 Ω

P_lo= 1.0 mW

I_F= 30 MHz

NF_Iif= 1.5 dB

13.1

V_SWR

Z_IF

1.6

R_L= 100 Ω

f = 1000 Hz

NF_Iif= 1.5 dB

400

800

Ω

Test

F = 9375 MHz

P_lo= 1.0 mW

I_F= 30 MHz

GHz

Frequency R_L= 100 Ω

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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