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Datasheet > 二极管 > 稳流二极管> 1N5299UR-1
1N5299UR-1 PDF预览

1N5299UR-1

更新时间： 2024-01-08 11:44:50
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 稳流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
CURRENT REGULATOR DIODES

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1N5299UR-1 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：DO-213AB
包装说明：O-LELF-R2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.84
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：CURRENT REGULATOR DIODEJEDEC-95代码：DO-213AB
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e0
最大限制电压：1.45 V元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大功率耗散：0.5 W参考标准：MIL-19500
标称调节电流 (Ireg)：1.2 mA表面贴装：YES
技术：FIELD EFFECT端子面层：TIN LEAD
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END

1N5299UR-1 数据手册

 浏览型号1N5299UR-1的Datasheet PDF文件第2页 
•
1N5283UR-1 THRU 1N5314UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND  
1N5283UR-1 thru 1N5314UR-1  
and  
JANS  
PER MIL-PRF-19500/463  
CDLL5283 thru CDLL5314  
• CURRENT REGULATOR DIODES  
• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
DC Power Dissipation: 500mW @ +75°C @ T  
= +125°C  
EC  
= +125°C  
Power Derating: 10 mW / °C above T  
Peak Operating Voltage: 100 Volts  
EC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified  
MINIMUM  
DYNAMIC  
IMPEDANCE  
MINIMUM  
KNEE  
IMPEDANCE  
@V = 6.0 V  
K
MAXIMUM  
LIMITING  
VOLTAGE  
CDI  
TYPE  
NUMBER  
REGULATOR CURRENT  
l p (mA) @ V = 25V  
S
@V = 25V  
S
MILLIMETERS  
INCHES  
Z
(M )  
Z
(M )  
@ l = 0.8 lp (min)  
L
S
K
DIM MIN MAX MIN MAX  
NOM  
MIN  
MAX  
(Note 1)  
(Note 2)  
V
(VOLTS)  
L
D
F
2.39  
0.41  
4.80  
2.66 .094 .105  
0.55 .016 .022  
5.20 .189 .205  
CDLL5283  
CDLL5284  
CDLL5285  
CDLL5286  
CDLL5287  
0.22  
0.24  
0.27  
0.30  
0.33  
0.198  
0.216  
0.243  
0.270  
0.297  
0.242  
0.264  
0.297  
0.330  
0.363  
25.0  
19.0  
14.0  
9.0  
2.75  
2.35  
1.95  
1.60  
1.35  
1.00  
1.00  
1.00  
1.00  
1.00  
G
G1  
S
4.11 REF.  
0.03 MIN.  
.159 REF.  
.001 MIN.  
6.6  
CDLL5288  
CDLL5289  
CDLL5290  
CDLL5291  
CDLL5292  
0.39  
0.43  
0.47  
0.56  
0.62  
0.351  
0.387  
0.423  
0.504  
0.558  
0.429  
0.473  
0.517  
0.616  
0.682  
4.10  
3.30  
2.70  
1.90  
1.55  
1.00  
1.05  
1.05  
1.05  
1.10  
1.13  
0.870  
0.750  
0.560  
0.470  
FIGURE 1  
CDLL5293  
CDLL5294  
CDLL5295  
CDLL5296  
CDLL5297  
0.68  
0.75  
0.82  
0.91  
1.00  
0.612  
0.675  
0.738  
0.819  
0.900  
0.748  
0.825  
0.902  
1.001  
1.100  
1.35  
1.15  
1.00  
0.880  
0.800  
0.400  
0.335  
0.290  
0.240  
0.205  
1.15  
1.20  
1.25  
1.29  
1.35  
DESIGN DATA  
CASE: DO-213AB, Hermetically sealed  
glass case. (MELF, LL41)  
CDLL5298  
CDLL5299  
CDLL5300  
CDLL5301  
CDLL5302  
1.10  
1.20  
1.30  
1.40  
1.50  
0.990  
1.08  
1.17  
1.26  
1.35  
1.210  
1.32  
1.43  
1.54  
1.65  
0.700  
0.640  
0.580  
0.540  
0.510  
0.180  
0.155  
0.135  
0.115  
0.105  
1.40  
1.45  
1.50  
1.55  
1.60  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
CDLL5303  
CDLL5304  
CDLL5305  
CDLL5306  
CDLL5307  
1.60  
1.80  
2.00  
2.20  
2.40  
1.44  
1.62  
1.80  
1.98  
2.16  
1.76  
1.98  
2.20  
2.42  
2.64  
0.475  
0.420  
0.395  
0.370  
0.345  
0.092  
0.074  
0.061  
0.052  
0.044  
1.65  
1.75  
1.85  
1.95  
2.00  
THERMAL RESISTANCE: (R  
50 °C/W maximum at L = 0 inch  
):  
OJEC  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
°C/W maximum  
): 25  
CDLL5308  
CDLL5309  
CDLL5310  
CDLL5311  
CDLL5312  
2.70  
3.00  
3.30  
3.60  
3.90  
2.43  
2.70  
2.97  
3.24  
3.51  
2.97  
3.30  
3.63  
3.96  
4.29  
0.320  
0.300  
0.280  
0.265  
0.255  
0.035  
0.029  
0.024  
0.020  
0.017  
2.15  
2.25  
2.35  
2.50  
2.60  
OJX  
POLARITY: Diode to be operated with  
CDLL5313  
CDLL5314  
4.30  
4.70  
3.87  
4.23  
4.73  
5.17  
0.245  
0.235  
0.014  
0.012  
2.75  
2.90  
the banded (cathode) end negative.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) Of this Device is Approximately  
+6PPM/°C. The COE of the Mounting  
Surface System Should Be Selected To  
Provide A Suitable Match With This  
Device.  
NOTE 1  
NOTE 2  
Z
Z
is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of V on V  
S
S
S
K
is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of V on V  
K
K
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
FAX (978) 689-0803  
141  
12

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