5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-7 |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.03 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | CURRENT REGULATOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 膝阻抗最大值： | 1350000 Ω | 最大限制电压： | 1 V |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称调节电流 (Ireg)： | 0.33 mA | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | FIELD EFFECT |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N5287-1E3 | MICROSEMI |
功能相似  |
Current Regulator Diode, 0.33mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-7, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEA |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5287-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
CURRENT REGULATOR DIODES |
|
| 1N5287-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 0.33mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN |
|
| 1N5287-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 0.33mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-7, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEA |
|
| 1N5287-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 0.33mA I(S), 1V V(L), Silicon, |
|
| 1N5287-1TRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 0.33mA I(S), 1V V(L), Silicon, |
|
| 1N5287BK | CENTRAL |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 0.33mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACK |
|
| 1N5287BKPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 0.33mA I(S), 1V V(L), Silicon, |
|
| 1N5287CO | AEROFLEX |
获取价格 |
0.33mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DIE-1 |
|
| 1N5287LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 0.33mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN |
|
| 1N5287TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 0.33mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACK |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
