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1N5283

更新时间： 2024-02-03 21:14:03

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ASI		稳压二极管
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1页	17K
描述
SILICON CURRENT REGULATOR DIODE

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1N5283 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.08
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	CURRENT REGULATOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大限制电压：	1 V	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.6 W
认证状态：	Not Qualified	标称调节电流 (Ireg)：	0.22 mA
表面贴装：	NO	技术：	FIELD EFFECT
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5283 数据手册

1N5283

SILICON CURRENT REGULATOR DIODE

DESCRIPTION:

The ASI 1N5283 is Silicon Constant

Current Diode Designed for General

Purpose Power Supply and Signal

Processing Applications.

PACKAGE STYLE DO-7

FEATURES INCLUDE:

• I_P= 220 µA Nominal

• Z_T= 25.0 MΩ Minimum

• Hermetic DO-7 Package

MAXIMUM RATINGS

P_OV

P_DISS

T_J

100 V

600 mW @ T_C= 75 °C

-55 °C to +200 °C

210 °C/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

I_P

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

V_T= 25 V

V_K= 6.0 V

I_L= 158 µA

198

25.0

2.75

242

µA

mΩ

KΩ

Z_T

Z_K

V_L

1.00

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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