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1N5235BT50A

更新时间： 2024-02-20 23:25:53
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 23K
描述
Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35

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1N5235BT50A 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：O-LALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.56
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-LALF-W2膝阻抗最大值：750 Ω
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：6.8 V
最大反向电流：3 µA表面贴装：NO
技术：ZENER端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL电压温度Coeff-Max：3.4 mV/ °C
最大电压容差：5%工作测试电流：20 mA
Base Number Matches：1

1N5235BT50A 数据手册

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1N5226B - 1N5257B Series Half Watt Zeners  
Tolerance: B = 5%  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Value  
Units  
Storage Temperature Range  
-65 to +200  
+ 200  
°C  
°C  
°C  
Maximum Junction Operating Temperature  
Lead Temperature (1/16” from case for 10 seconds)  
+ 230  
Total Device Dissipation  
Derate above 75°C  
Surge Power**  
500  
4.0  
10  
mW  
mW/°C  
W
*These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
**Non-recurrent square wave PW= 8.3 ms, TA= 55 degrees C.  
DO-35  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed  
or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
VZ  
(V)  
ZZ  
(Ω)  
IZT  
(mA)  
ZZK  
(Ω)  
IZK  
(mA)  
VR  
(V)  
IR  
(µA)  
TC  
(%/°C)  
@
@
@
Device  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.0  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
8.7  
9.1  
10  
28  
24  
23  
22  
19  
17  
11  
7.0  
7.0  
5.0  
6.0  
8.0  
8.0  
10  
17  
22  
30  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
1,600  
1,700  
1,900  
2,000  
1,900  
1,600  
1,600  
1,600  
1,000  
750  
500  
500  
600  
600  
600  
600  
600  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
2.0  
2.0  
3.0  
3.5  
4.0  
5.0  
6.0  
6.5  
6.5  
7.0  
8.0  
8.4  
9.1  
25  
15  
10  
- 0.07  
- 0.065  
- 0.06  
+/- 0.055  
+/- 0.03  
+/- 0.3  
0.038  
0.038  
0.045  
0.05  
0.058  
0.062  
0.065  
0.068  
0.075  
0.076  
0.077  
1N5226B  
1N5227B  
1N5228B  
1N5229B  
1N5230B  
1N5231B  
1N5232B  
1N5233B  
1N5234B  
1N5235B  
1N5236B  
1N5237B  
1N5238B  
1N5239B  
1N5240B  
1N5241B  
1N5242B  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
2.0  
1.0  
11  
12  
Foward Voltage = 1.1 V Maximum @ IF = 200 mA for all 1N5200 series  
VF  
NOTE: National preferred devices in BOLD  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
1N5200B Rev. A  
123

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