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1N5230

更新时间： 2024-10-26 07:21:59

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EIC		二极管齐纳二极管测试
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ZENER DIODES

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1N5230 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-LALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.04	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	19 Ω
JEDEC-95代码：	DO-204AH	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	标称参考电压：	4.7 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	10%	工作测试电流：	20 mA
Base Number Matches：	1

1N5230 数据手册

Certificate TH97/10561QM

Certificate TW00/17276EM

ZENER DIODES

1N5221 - 1N5267

DO - 35 Glass

(DO-204AH)

V_Z: 2.4 - 75 V

P_D: 500 mW

1.00 (25.4)

FEATURES :

0.079(2.0 )max.

min.

• Silicon planar power zener diodes.

• Standard zener voltage tolerance is ± 10%.

• Other tolerances are available upon request.

• These diodes are also available in MiniMELF case with

the type designation ZMM5221 ... ZMM5267

• Pb / RoHS Free

0.150 (3.8)

max.

Cathode

Mark

1.00 (25.4)

min.

0.020 (0.52)max.

MECHANICAL DATA :

Case: DO-35 Glass Case

Weight: approx. 0.13g

Dimensions in inches and ( millimeters )

Maximum Ratings and Thermal Characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Zener Current see Table "Characteristics"

Maximum Forward Voltage at I^F= 200 mA.

Power Dissipation at Ta = 75 °C

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Junction temperature

1.1

°C/W

°C

500⁽¹⁾

300⁽¹⁾

P_D

R_θ

T_J

175

T_STG

Storage temperature range

-65 to + 175

°C

Note:

(1) Valid provided that leads at a distance of 3/8” from case are kept at ambient temperature.

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Rev. 03 : July 17, 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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1N5230-1TR	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 4.7V V(Z), 20%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GL
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