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1N5221BD7

更新时间: 2024-11-25 08:22:31
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 101K
描述
Zener Diode, 2.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

1N5221BD7 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-XALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.61外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0膝阻抗最大值:1200 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:2.4 V
最大反向电流:100 µA表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:
最大电压容差:5%工作测试电流:20 mA

1N5221BD7 数据手册

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