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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.51 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 1.5 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 5000 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5182E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Blank, 1 Element, 0.1A, 5000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC S |
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| 1N5182SM | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N5182SME3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| 1N5183 | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE RECTIFIERS |
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| 1N5183 | NJSEMI |
获取价格 |
Microminiature package. |
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| 1N5183SM | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 7500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| 1N5183SME3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| 1N5184 | NJSEMI |
获取价格 |
Microminiature package. |
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| 1N5184 | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE RECTIFIERS |
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| 1N5184E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Blank, 1 Element, 0.1A, 10000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
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