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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 最大重复峰值反向电压： | 5000 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5182E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Blank, 1 Element, 0.1A, 5000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC S |
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| 1N5182SM | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N5182SME3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| 1N5183 | MICROSEMI |
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HIGH VOLTAGE RECTIFIERS |
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| 1N5183 | NJSEMI |
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Microminiature package. |
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| 1N5183SM | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 7500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| 1N5183SME3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| 1N5184 | NJSEMI |
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Microminiature package. |
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| 1N5184 | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE RECTIFIERS |
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| 1N5184E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Blank, 1 Element, 0.1A, 10000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
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