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1N5162

更新时间: 2024-11-18 22:37:39
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管
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3页 89K
描述
150AMP AVG SILICON RECTIFIER DIODES

1N5162 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-MUPM-H1Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.7
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-205ACJESD-30 代码:O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流:3000 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最大输出电流:150 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

1N5162 数据手册

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