是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | O-MUPM-H1 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.7 |
Is Samacsys: | N | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-205AC | JESD-30 代码: | O-MUPM-H1 |
最大非重复峰值正向电流: | 3000 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最大输出电流: | 150 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 1200 V | 表面贴装: | NO |
端子形式: | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N5162PBF | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC, DO-30 1 PIN | |
1N5162R | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC, DO-30 1 PIN | |
1N5175 | NJSEMI |
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FAST RECTIFIER | |
1N5177W | TYSEMI |
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Low Forward Voltage Drop Guard Ring Constuction for Transient Protection | |
1N5177W | KEXIN |
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SMALL SIGNAL DIODES | |
1N5178 | NJSEMI |
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FAST RECTIFIER | |
1N5179 | MICROSEMI |
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AXIAL LEAD DIODES | |
1N5179 | NJSEMI |
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AXIAL LEADS DIODES | |
1N5181 | MICROSEMI |
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HIGH VOLTAGE RECTIFIERS | |
1N5181 | NJSEMI |
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Microminiature package. |