5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-CEMW-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.38 |
| 最小击穿电压： | 20 V | 最大二极管电容： | 1 pF |
| 最小二极管电容： | 0.5 pF | 标称二极管电容： | 0.75 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | STEP RECOVERY DIODE |
| JESD-30 代码： | O-CEMW-N2 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出频率： | 10 GHz | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | MICROWAVE |
| 最大功率耗散： | 3.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 20 V | 子类别： | Varactors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5157 | ASI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| 1N5162 | NJSEMI |
获取价格 |
150 Amp Avg Silicon Rectifier Diode |
|
| 1N5162 | INFINEON |
获取价格 |
150AMP AVG SILICON RECTIFIER DIODES |
|
| 1N5162PBF | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC, DO-30 1 PIN |
|
| 1N5162R | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC, DO-30 1 PIN |
|
| 1N5175 | NJSEMI |
获取价格 |
FAST RECTIFIER |
|
| 1N5177W | TYSEMI |
获取价格 |
Low Forward Voltage Drop Guard Ring Constuction for Transient Protection |
|
| 1N5177W | KEXIN |
获取价格 |
SMALL SIGNAL DIODES |
|
| 1N5178 | NJSEMI |
获取价格 |
FAST RECTIFIER |
|
| 1N5179 | MICROSEMI |
获取价格 |
AXIAL LEAD DIODES |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
