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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-CEMW-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 标称二极管电容： | 1.9 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VOLTAGE MULTIPLIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-CEMW-N2 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | MICROWAVE | 最大功率耗散： | 6.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 35 V |
| 子类别： | Varactors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5156 | ASI |
获取价格 |
Step Recovery Diode, 10GHz Max, Silicon, |
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| 1N5157 | ASI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| 1N5162 | NJSEMI |
获取价格 |
150 Amp Avg Silicon Rectifier Diode |
|
| 1N5162 | INFINEON |
获取价格 |
150AMP AVG SILICON RECTIFIER DIODES |
|
| 1N5162PBF | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC, DO-30 1 PIN |
|
| 1N5162R | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC, DO-30 1 PIN |
|
| 1N5175 | NJSEMI |
获取价格 |
FAST RECTIFIER |
|
| 1N5177W | TYSEMI |
获取价格 |
Low Forward Voltage Drop Guard Ring Constuction for Transient Protection |
|
| 1N5177W | KEXIN |
获取价格 |
SMALL SIGNAL DIODES |
|
| 1N5178 | NJSEMI |
获取价格 |
FAST RECTIFIER |
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