1N5148

更新时间： 2024-11-19 07:21:59

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ASI		二极管变容二极管测试
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描述
TUNING VARACTOR DIODE

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1N5148 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-204
包装说明：	O-XALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.12
最小击穿电压：	65 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	10%
标称二极管电容：	47 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AA
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
最小质量因数：	200	最大重复峰值反向电压：	60 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
变容二极管分类：	ABRUPT	Base Number Matches：	1

1N5148 数据手册

1N5148

TUNING VARACTOR DIODE

PACKAGE STYLE D0-204AA

DESCRIPTION:

The ASI 1N5148 is a Silicon Abrupt

Junction Microwave Tuning Varactor

Diode.

Millimeters

Inches

Dim:

Min

Max

7.62

2.72

0.56

1.27

38.10

Min

Max

5.84

2.16

0.46

---

0.230

0.085

0.018

---

0.300

0.107

0.022

0.050

1.500

MAXIMUM RATINGS

250 mA

60 V

I_F

V_R

25.40

1.000

400 mW @ T_A= 25 °C

-65 °C to +175 °C

-65 °C to +200 °C

P_DISS

T_J

T_STG

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

V_BR

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_R= 10 µA

I_R

V_R= 55 V

µA

T_A= 150 °C

f = 1.0 MHz

V_R= 4.0 V

V_R= 5.0 V

V_R= 4.0 V

42.3

38.8

0.38

47.0

0.41

51.7

47.4

C_T4

---

f = 1.0 MHz

V_R= 4.0 V

f = 50 MHz

f = 250 MHz

f = 1.0 MHz

200

---

µH

L_S

5.0

0.25

3.2

C_C

C_T4/C_T60

V_R= 4.0 & 60 V

NOTE: Voltage tolerance: ± 10%

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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